
A | 8 月 26 日消息,韩媒 ZDNET Korea 在其当地时间 24 的报道中表示,该国两大半导体企业三星电子、SK 海力士正持续向中国 NAND 晶圆厂投资,以扩充闪存产能,缩小供需差距。▲ 三星电子 V9 1Tb TLC报道指出,三星电子自 2026H1 以来一直在推进西安 X2 晶圆厂的工艺升级,将既有老旧制程产线升级至最新的第 9 代 V NAND(286 层)。消息人士表示,三星电子计划为该工厂导入新的蚀刻工艺设备,相关采购订单预计在 2026 年内落地。另一方面 SK 海力士的投资则围绕大连第二晶圆厂展开,计划新增每月 3 万片晶圆的产能,光刻机等关键制造设备预计将从 2026 年 10 月开始导入。 评论 发表。
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